一种多孔石墨烯薄膜场发射阴极
- 申请号：CN201410373851.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：国家纳米科学中心
- 公开(公开)号：CN104134594A
- 公开(公开)日：2014.11.05
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种多孔石墨烯薄膜场发射阴极 | ||
| 申请号 | CN201410373851.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104134594A | 公开（授权）日 | 2014.11.05 |
| 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 李驰;白冰;李振军;和峰;杨晓霞;裘晓辉;戴庆 |
| 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J1/304(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种多孔石墨烯薄膜场发射阴极 至一种多孔石墨烯薄膜场发射阴极 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种多孔石墨烯薄膜场发射阴极。所述多孔石墨烯薄膜场发射阴极包括阴极基底和覆盖于阴极基底上的多孔石墨烯薄膜；所述多孔石墨烯薄膜上设置有多孔阵列。本发明通过制备多孔薄膜结构，可以充分提高石墨烯薄膜的边缘比例，进而提高其大电流发射能力；在石墨烯孔的边缘，将会形成“金属-绝缘体-真空”三结，将极大地增强场发射电流，降低场发射驱动电压。 | ||
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