在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法
- 申请号：CN201410337635.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN104143593A
- 公开(公开)日：2014.11.12
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法 | ||
| 申请号 | CN201410337635.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104143593A | 公开（授权）日 | 2014.11.12 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 孔庆峰;马平;纪攀峰;卢鹏志;杨华;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 |
| 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 专利有效期 | 在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法 至在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，包括下列步骤：在SiC衬底上生长LED外延片；制备出P面具有反射金属膜的外延片，与新的衬底键合，形成倒装结构的LED外延片；采用机械研磨工艺将SiC衬底减薄；在SiC衬底表面形成一层厚导光层，由此得到具有导光层的SiC衬底的GaN基LED。本发明简单可靠、易于实现，可显著提高SiC衬底LED器件的发光效率。 | ||
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