专利详情

专利名称	一种基于层转移的晶硅薄膜的制备方法
申请号	CN201310167373.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104143496A	公开（授权）日	2014.11.12
申请（专利权）人	中国科学院上海高等研究院	发明（设计）人	刘东方;张伟;陈小源;杨辉;王聪;鲁林峰;李东栋;方小红;李明;杨康;王旭洪
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	一种基于层转移的晶硅薄膜的制备方法至一种基于层转移的晶硅薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于层转移的晶硅薄膜的制备方法，包括：1）于单晶硅衬底表面形成用于制作周期性棒阵列的掩膜，采用化学湿法刻蚀或干法刻蚀工艺于单晶硅衬底上形成周期性的硅棒阵列；2）于单晶硅衬底表面及硅棒阵列表面形成阻挡层；3）采用选择性刻蚀工艺暴露硅棒阵列顶部的硅，形成硅核阵列；4）以硅核阵列作为外延生长的籽晶或成核位置，采用化学气相沉积法于硅棒阵列顶部形成连续的硅膜；5）剥离硅膜，将其转移至一预设基底。本发明以单晶硅片为母衬底，所生长硅膜能够继承母衬底的晶体质量，藉此保证硅膜的高晶体质量；硅膜剥离后，衬底经过简单处理后可以重复使用，同时气相化学沉积硅膜生长工艺简单，从而可有效地降低硅膜生产成本。