专利详情

专利名称	一种晶圆硅通孔结构及其制备方法
申请号	CN201410232738.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104143544A	公开（授权）日	2014.11.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	发明（设计）人	李宝霞
主分类号	H01L23/528(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	一种晶圆硅通孔结构及其制备方法至一种晶圆硅通孔结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于微电子技术领域，公开了一种晶圆硅通孔结构，所述晶圆硅通孔结构包括：通孔、正面钝化层、通孔钝化层、背面钝化层以及通孔钝化层外围的空腔；所述通孔开设在所述晶圆的硅衬底上；所述通孔内侧壁上设置通孔钝化层；所述正面钝化层与所述背面钝化层设置在所述硅衬底正面和背面；所述正面钝化层以及所述背面钝化层分别与所述通孔钝化层衔接；所述硅衬底内，所述通孔钝化层外围设置空腔。本发明通过在晶圆硅衬底上的通孔外设置空腔，降低由于通孔金属与硅材料热膨胀系数差异大造成的热应力效应；同时大大削弱通孔周围的电场密度，从而降低通孔的高频损耗。