专利详情

专利名称	一种超薄碳纳米管薄膜及其制备方法和装置
申请号	CN201310164499.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104140089A	公开（授权）日	2014.11.12
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	周维亚;张强;王艳春;解思深
主分类号	C01B31/02(2006.01)I	IPC主分类号	C01B31/02(2006.01)I;D01F9/12(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种超薄碳纳米管薄膜及其制备方法和装置至一种超薄碳纳米管薄膜及其制备方法和装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种用于制备碳纳米管薄膜的方法，包括：提供具有入口端和出口端的碳纳米管生长室，入口端和出口端之间至少包括相连通的第一级生长腔和第二级生长腔；使用于形成碳纳米管的前驱体材料至少在所述碳纳米管生长室的第一级生长腔内发生反应生成碳纳米管；使载气流入所述生长室，其中在所述第一级生长腔和第二生长腔的交界处，所述第一级生长腔在载气流动方向上的径向尺寸小于第二级生长腔的径向尺寸，且在第一级生长腔于第二级生长腔中开口的位置处，前驱体材料在载气的带动下产生吹泡过程，形成与第一级生长腔相连通的封闭的圆筒状碳纳米管薄膜。本发明提供的方法可连续直接制备不间断的超薄的自支撑的透明导电碳纳米管薄膜。