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在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法

  • 申请号:CN201410335136.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
  • 公开(公开)号:CN104140075A
  • 公开(公开)日:2014.11.12
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法
申请号 CN201410335136.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN104140075A 公开(授权)日 2014.11.12
申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 发明(设计)人 裴为华;张贺;王宇;陈远方;陈弘达
主分类号 B81C1/00(2006.01)I IPC主分类号 B81C1/00(2006.01)I;A61M37/00(2006.01)I;A61B5/04(2006.01)I;A61B10/02(2006.01)I
专利有效期 在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法 至在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法,包括:在一硅片上生长一层第一Parylene薄膜后旋涂一层柔性聚合物层,加热固化;将其揭下;在与第一Parylene薄膜接触的那一面的柔性聚合物层上生长一层第二Parylene薄膜后旋涂一层聚二甲基硅氧烷层,加热固化;在一金属或半导体材料上双面生长一层二氧化硅薄膜;将二氧化硅薄膜与PDMS层键合在一起;将其揭下;在二氧化硅薄膜上旋涂一层均匀的光刻胶,光刻;得到柔性衬底的硬质微柱阵列,形成基片;面旋涂光刻胶后,将基片放在腐蚀液中,将基片上的硬质微柱阵列腐蚀出针尖形状,完成制备。本发明大大提高了微针使用时的舒适度,降低了硬质微针折断的风险,提高了微针阵列的使用寿命。

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