专利详情

专利名称	一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法
申请号	CN201410337785.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104141171A	公开（授权）日	2014.11.12
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	赵丹梅;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平
主分类号	C30B29/38(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/38(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I;C30B25/22(2006.01)I
专利有效期	一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法至一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法，包括：在Si衬底(10)上形成缓冲层(11)；在缓冲层(11)上形成几个原子厚度的Si_xN_y非晶层(12)；在未被Si_xN_y非晶层覆盖的缓冲层(11)上形成GaN层(18)，使GaN在缓冲层(11)的小岛上成核生长，形成GaN复合薄膜；以及由此得到的一种在Si衬底上形成的GaN复合薄膜。本发明的在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法可以实现无裂纹、高质量的生长，从而得到高电阻、低位错的GaN复合薄膜。