专利详情

专利名称	高能高电位梯度型二氧化锡压敏电阻复合粉体及制备方法
申请号	CN201410446361.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104150897A	公开（授权）日	2014.11.19
申请（专利权）人	中国科学院新疆理化技术研究所	发明（设计）人	徐金宝;张家齐;边亮;王磊
主分类号	C04B35/457(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/457(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	高能高电位梯度型二氧化锡压敏电阻复合粉体及制备方法至高能高电位梯度型二氧化锡压敏电阻复合粉体及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种高能高电位梯度型二氧化锡压敏电阻复合粉体及制备方法，该复合材料各组分是由SnO₂，Co₂O₃，TiO₂，Sb₂O₅，Nb₂O₅，Pr₆O₁₁，Y₂O₃制成，采用在亚微米级的二氧化锡粉末中掺入二氧化钛、五氧化二锑、三氧化二钴、五氧化二铌、十一氧化六镨、三氧化二钇，其中，十一氧化六镨和三氧化二钇作为电位梯度增强剂，二氧化钛和五氧化二锑均为单分散的纳米级颗粒，纳米五氧化二锑在烧结过程中可与二氧化锡反应转变为尖晶石相并均匀分布于晶界中，通过晶界扎钉效应抑制二氧化锡晶粒异向生长。五氧化二锑的加入还可用来控制晶粒的平均粒径，使单位体积内的晶粒和晶界密度增强，使得最终产品具有能量密度大、电位梯度高、漏电流小、批量生产一致性较好等特点。该制备方法简单，可控，可用于大批量工业化生产。