专利详情

专利名称	等离子体薄膜沉积装置及沉积方法
申请号	CN201410419057.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104152869A	公开（授权）日	2014.11.19
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	叶继春;邬苏东;高平奇;杨映虎;韩灿
主分类号	C23C16/44(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/44(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I
专利有效期	等离子体薄膜沉积装置及沉积方法至等离子体薄膜沉积装置及沉积方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种等离子体薄膜沉积装置及沉积方法，该装置包括腔体、供气系统、等离子体喷枪系统、抽真空系统、射频电源系统和压力控制系统，所述腔体中设置有样品台；所述等离子体喷枪系统与所述供气系统连通；所述抽真空系统与所述腔体连通；所述压力控制系统与所述腔体连通，在所述压力控制系统中设置有压力控制阀；所述压力控制系统控制所述腔体的压力为0.05kPa至10kPa。本发明的等离子体薄膜沉积装置将腔体的压力控制在0.05kPa至10kPa之间，能够实现薄膜的高效、快速、低温沉积。