专利详情

专利名称	氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法
申请号	CN201310178105.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104150940A	公开（授权）日	2014.11.19
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	胡海龙;曾宇平;左开慧;夏咏锋;姚东旭;孙庆波
主分类号	C04B38/00(2006.01)I	IPC主分类号	C04B38/00(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I
专利有效期	氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法至氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种Si₃N₄与SiC复相多孔陶瓷，其氮化率高于85%，孔隙率为30～60%。其制备方法为：①以Si和SiC为原料，添加烧结助剂，球磨混合均匀成浆料；②将浆料进行干燥、过筛、干压成型，并经冷等静压处理形成素坯体；③将素坯体放置于烧结炉中，在高纯氮气气氛中，先升温至900～1200℃，再升温至1300～1500℃，然后进行氮化反应烧结，烧结完毕降温，最后随炉冷却。本发明的烧结方法具有烧结时间快、工艺简单、能耗低等特点，易得到净尺寸成型、复杂形状，孔隙率高、空隙可控、空隙结构定向互连的Si₃N4/SiC复相多孔陶瓷材料，且成型简单，最高抗弯强度可达150MPa。