专利详情

专利名称	利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法
申请号	CN201310178070.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104150910A	公开（授权）日	2014.11.19
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	胡海龙;曾宇平;左开慧;夏咏锋;姚东旭;孙庆波
主分类号	C04B35/565(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/565(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法至利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种利用多晶Si切割废料制备Si₃N₄与SiC复相多孔陶瓷的方法，以多晶Si切割废料为原料，添加烧结助剂，机械球磨混合均匀成浆料；将浆料进行干燥、过筛、干压成型，并经冷等静压处理形成素坯体；将素坯体放置于烧结炉中，在高纯氮气气氛中，升温至1300～1500℃，然后进行氮化反应烧结，降温至800℃，最后随炉冷却得到Si₃N₄与SiC复相多孔陶瓷。本发明的方法具有变废为宝，直接避免了提纯Si、PEG与SiC的繁杂工序，得到的复相多孔陶瓷具有空隙结构分布均匀、互连，收缩率低、抗弯强度高等特点，能够满足高温下使用过滤器，催化剂载体和热绝缘材料等领域的使用。