专利详情

专利名称	三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法
申请号	CN201310178564.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104153000A	公开（授权）日	2014.11.19
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	刘锦峰;许桂生;杨丹凤;刘莹
主分类号	C30B29/32(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/32(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B11/14(2006.01)I
专利有效期	三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法至三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法，其化学式为xPb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-yBiAlO₃-(1-x-y)PbTiO₃，其中0 x 1，0 y 1，且x+y 1。生长方法为：步骤A)称取Bi₂O₃、MgO、Nb₂O₅、TiO₂和Al₂O₃，在高温下预烧；步骤B)再与铅的氧化物混合并压块；步骤C)装入坩埚中并在500～1250℃下保温3～20h，继续升高温度至1340～1410℃，保温3～20h，使起始料全部熔化，以0.1～1.2mm/h速度下降逐渐结晶，界面温度梯度为20～100℃/cm；步骤D)生长完毕，以10～300℃/h速度冷却到室温。本发明的方法可根据需要生长不同取向、不同形状和不同尺寸的压电晶体，具有工艺设备简单、操作方便、一炉多产等优点，适合于工业规模化晶体的生长或生产。