专利详情

专利名称	静态随机存储器单元的抗干扰电路和存储元件
申请号	CN201410337061.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104157303A	公开（授权）日	2014.11.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘梦新;刘鑫;赵发展;韩郑生
主分类号	G11C11/413(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/413(2006.01)I
专利有效期	静态随机存储器单元的抗干扰电路和存储元件至静态随机存储器单元的抗干扰电路和存储元件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种静态随机存储器单元的抗干扰电路和存储元件。静态随机存储器单元的抗干扰电路包括：在所述静态随机存储器单元的存储节点(Q、QB)上分别连接的串联的第一开关元件和电容，第一开关元件受第一字线(WLB)控制，第一字线在所述静态随机存储器单元的读写操作和保持操作期间分别使第一开关元件关断和导通。它能够在保持操作期间，具有很高的抗干扰性能，另外，在SRAM单元读写时，不会因为存储节点连接的元件过多而导致读写速度变慢。