专利详情

专利名称	一种光电探测器的制备方法
申请号	CN201410459322.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104157741A	公开（授权）日	2014.11.19
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张苗;母志强;陈达;薛忠营;狄增峰;王曦
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种光电探测器的制备方法至一种光电探测器的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种光电探测器的制备方法，包括步骤：1）提供一硅衬底，于所述硅衬底表面形成Ge底层；2）在所述Ge底层上生长SiGe/Ge周期结构，最上一层用Ge覆盖；3）于所述SiGe/Ge周期结构及Ge底层中刻蚀出直至所述硅衬底的至少两个间隔排列的凹槽；4）采用选择性腐蚀工艺去除凹槽之间的SiGe/Ge周期结构中的SiGe，形成具有间隔的多层Ge结构；5）采用溶液法在所述多层Ge结构的表面附着金属颗粒；6）于所述SiGe/Ge周期结构表面制作电极。本发明利用金属粒子产生局域表面等离子体共振，制备出了高效率的硅基光电探测器，并且，通过多个表面的引入，进一步提高光电探测的效率。本发明步骤简单，适用于工业生产。