专利详情

专利名称	一种制备HfC-SiC复相陶瓷的方法
申请号	CN201310185351.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104163628A	公开（授权）日	2014.11.26
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	刘吉轩;张国军;刘海涛
主分类号	C04B35/56(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/56(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	一种制备HfC-SiC复相陶瓷的方法至一种制备HfC-SiC复相陶瓷的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备HfC-SiC复相陶瓷的方法，其包括如下步骤：a)制备HfC-Si₃N₄-C混合粉体；b)制备HfC-Si₃N₄-C生坯；c)先在惰性气氛或真空条件下于800～1400℃保温1～2小时，制得HfC-SiC坯体，再在惰性气氛中于1900～2300℃下继续烧结0.5～1小时，制得HfC-SiC复相陶瓷。本发明所制备的HfC-SiC复相陶瓷的致密度高达100%、平均晶粒尺寸均小于1μm；在惰性气氛下可耐2300℃高温，且相组成稳定；在1500℃的四点弯曲强度可达到350MPa以上；另外，本发明方法还具有原料价廉易得、制备工艺简单、可操控性强、容易实现规模化等优点。