专利详情

专利名称	霍尔条微器件
申请号	CN201420708532.6	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN204243084U	公开（授权）日	2015.04.01
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	李康;欧云波;何珂;马旭村
主分类号	H01L43/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01L43/06(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I;H01L43/14(2006.01)I
专利有效期	霍尔条微器件至霍尔条微器件	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种霍尔条微器件。该霍尔条微器件包括：衬底；凸台，位于衬底上并具有预定的霍尔条形状，并具有平整的上表面；以及薄膜层，由拓扑绝缘体材料在凸台的表面上外延生长而成，且具有与凸台相对应的形状。本实用新型在制备三维拓扑绝缘体薄膜器件时，掺杂磁性元素Cr后，(Bi_xSb_1-x)₂Te₃材料变成了铁磁性的绝缘体。采用掺Cr的(Bi_xSb_1-x)₂Te₃材料作为薄膜层制备来三维拓扑绝缘体薄膜器件，拓扑绝缘体具有边态，在极低的温度条件下就可以测量量子反常霍尔效应，即在不加外加磁场的情况下观察到量子霍尔效应，这一效应在计量学，未来的电子器件应用中将会有巨大的应用前景。