专利详情

专利名称	同步辐射μ-SAXS技术原位测量熔融法晶体微观生长基元粒径的方法及微型晶体生长炉
申请号	CN201510017797.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104567402A	公开（授权）日	2015.04.29
申请（专利权）人	中国科学院合肥物质科学研究院	发明（设计）人	张德明;殷绍唐;孙彧;张庆礼;孙敦陆
主分类号	F27B17/02(2006.01)I	IPC主分类号	F27B17/02(2006.01)I;G01N23/20(2006.01)I
专利有效期	同步辐射μ-SAXS技术原位测量熔融法晶体微观生长基元粒径的方法及微型晶体生长炉至同步辐射μ-SAXS技术原位测量熔融法晶体微观生长基元粒径的方法及微型晶体生长炉	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了同步辐射?-SAXS技术原位测量熔融法晶体生长基元粒径的方法，本方法基于同步辐射?-SAXS技术原位测量熔融法晶体生长时不同区域（边界层、熔体）中微观生长基元的粒径大小，获得晶体微观生长基元粒径从熔体到晶体的变化规律；本发明还提供了应用该方法的微型晶体生长炉，通过本微型晶体生长炉能实现对晶体生长时边界层和熔体中微观生长基元的粒径的原位观测。