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Molecular glass photoresists containing bisphenol a framework and method for preparing the same and use thereof

  • 申请号:US201214385238
  • 专利类型:US
  • 申请(专利权)人:中国科学院化学研究所
  • 公开(公开)号:US9454076(B2)
  • 公开(公开)日:2016.09.27
  • 法律状态:
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专利详情

专利名称 Molecular glass photoresists containing bisphenol a framework and method for preparing the same and use thereof
申请号 US201214385238 专利类型 US
公开(公告)号 US9454076(B2) 公开(授权)日 2016.09.27
申请(专利权)人 中国科学院化学研究所 发明(设计)人 Yang Guoqiang;Xu Jian;Chen Li;Wang Shuangqing;Li Shayu
主分类号 C07C43/205 IPC主分类号 C07C43/205;G03F7/004;C07C69/96;C07C39/16;C07C39/17;C07C43/21;G03F7/00;G03F7/038;G03F7/039;C07C37/16;C07C39/15;C07C41/01;C07C68/06
专利有效期 Molecular glass photoresists containing bisphenol a framework and method for preparing the same and use thereof 至Molecular glass photoresists containing bisphenol a framework and method for preparing the same and use thereof 法律状态
说明书摘要 The present invention provides a class of molecular glass photoresist (I and II) comprising bisphenol A as a main structure and their preparation. The molecular glass photoresist is formulated with a photoacid generator, a cross-linking agent, a photoresist solvent, and other additives into a positive or negative photoresist. A photoresist with a uniform thickness is formed on a silicon wafer by spin-coating. The photoresist formulation can be used in modern lithography, such as 248 nm photolithography, 193 nm photolithography, extreme-ultraviolet (EUV) lithography, nanoimprint lithography, electron beam lithography, and particularly in the EUV-lithography technique.;

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