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Nonlinear optical device manufactured with 4H silicon carbide crystal

  • 申请号:US201214370510
  • 专利类型:US
  • 申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
  • 公开(公开)号:US9500931(B2)
  • 公开(公开)日:2016.11.22
  • 法律状态:
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 Nonlinear optical device manufactured with 4H silicon carbide crystal
申请号 US201214370510 专利类型 US
公开(公告)号 US9500931(B2) 公开(授权)日 2016.11.22
申请(专利权)人 中国科学院物理研究所 发明(设计)人 Chen Xiaolong;Wang Shunchong;Peng Tonghua;Wang Gang;Liu Chunjun;Wang Wenjun;Jin Shifeng
主分类号 G02F1/355 IPC主分类号 G02F1/355;G02F1/35;G02F1/361;G02F1/39;H01S3/23;H01S3/00
专利有效期 Nonlinear optical device manufactured with 4H silicon carbide crystal 至Nonlinear optical device manufactured with 4H silicon carbide crystal 法律状态
说明书摘要 Provided is a nonlinear optical device manufactured with 4H silicon carbide crystal. The nonlinear optical crystal may be configured to alter at least a light beam (12) at a frequency to generate at least a light beam (16) at a further frequency different from the frequency. The nonlinear optical crystal comprises a 4H silicon carbide crystal (13). The nonlinear optical device is more compatible with practical applications in terms of outputting mid-infrared laser at high power and high quality and thus are more applicable in practice, because the 4H silicon carbide crystal has a relatively high laser induced damage threshold, a relatively broad transmissive band (0.38-5.9 μm and 6.6-7.08 μm), a relatively great 2nd-order nonlinear optical coefficient (d15=6.7 pm/V), a relatively great birefringence, a high thermal conductivity (490 Wm?1K?1), and a high chemical stability.

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