专利详情

专利名称	一种产生低能离子的装置
申请号	CN201621174731.9	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN206148395U	公开（授权）日	2017.05.03
申请（专利权）人	中国科学院武汉物理与数学研究所	发明（设计）人	陈邵龙;管桦;梁世勇;杨航;宋红芳;黄垚;高克林
主分类号	H01J49/10(2006.01)I	IPC主分类号	H01J49/10(2006.01)I;H01J49/24(2006.01)I;H01J49/06(2006.01)I
专利有效期	一种产生低能离子的装置至一种产生低能离子的装置	法律状态
说明书摘要	一种产生低能离子的装置，该装置包括高能离子产生单元、离子聚焦单元、离子减速单元、离子选择单元以及真空腔，所述离子产生单元产生离子注入上述离子聚焦单元，离子经上述离子聚焦单元聚焦后输入上述离子减速单元，离子经离子减速单元减速后进入上述离子选择单元，由离子选择单元对离子进行筛选后输出所需低能离子，上述离子产生单元、离子聚焦单元、离子减速单元及离子选择单元都置于上述真空腔中。该装置可以通过添加不同的原子源，可以获得不同种类低能离子，具有普适性、低能量性，同时离子流可以连续产生，具有持续性。