专利详情

专利名称	带有绝缘埋层的图像传感器及其制作方法
申请号	CN201110229921.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102332462B	公开（授权）日	2012.10.24
申请（专利权）人	中国科学院上海高等研究院	发明（设计）人	苗田乐;陈杰;汪辉;汪宁;尚岩峰;田犁
主分类号	H01L27/146(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/146
专利有效期	带有绝缘埋层的图像传感器及其制作方法至带有绝缘埋层的图像传感器及其制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器，所述图像传感器形成于支撑衬底表面，所述支撑衬底的材料是半导体材料，所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域，驱动电路区域的支撑衬底中具有顶层半导体层，顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；驱动电路区域中的晶体管形成于顶层半导体层中，光学传感区域中的光学传感器件形成于支撑衬底中并通过P+掺杂的隔离层与支撑衬底电学隔离；所述驱动电路区域和光学传感区域彼此通过绝缘侧墙横向隔离。