CMOS图像传感器
- 申请号：CN201110410127.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海高等研究院
- 公开(公开)号：CN102427079B
- 公开(公开)日：2014.01.08
- 法律状态：专利权的转移
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专利详情
| 专利名称 | CMOS图像传感器 | ||
| 申请号 | CN201110410127.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102427079B | 公开（授权）日 | 2014.01.08 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 汪辉;林琳;陈杰;汪宁;尚岩峰 |
| 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146 |
| 专利有效期 | CMOS图像传感器 至CMOS图像传感器 | 法律状态 | 专利权的转移 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种CMOS图像传感器，感光结构包括PIN结和多晶硅栅。PIN结由三个横向排列的掺杂区组成，第二掺杂区为PIN结的I型区，多晶硅栅形成于第二掺杂区上方、且多晶硅栅和第二掺杂区间隔离有栅氧化层。多晶硅栅能使I型区的能带产生弯曲，从而能增加使I型区的光生电荷的转移能力，当I型区长度超过了光生电子或光生空穴的扩散长度时，也能使光生电子或光生空穴有效转移到N型区或P型区中，从而能降低光生电荷的转移在转移过程中的复合几率，能够增加感光区的光生电荷的转移效率，也能增加感光区的长度和有效感光面积，能够提高光响应率。 | ||
交易流程
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