专利详情

专利名称	金属氧化物半导体图像传感器
申请号	CN201110457475.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102523393B	公开（授权）日	2014.02.26
申请（专利权）人	中国科学院上海高等研究院	发明（设计）人	孙涛;汪辉;陈杰;方娜;田犁
主分类号	H04N5/374(2011.01)I	IPC主分类号	H04N5/374; H04N5/3745; H04N5/378
专利有效期	金属氧化物半导体图像传感器至金属氧化物半导体图像传感器	法律状态	专利权的转移
说明书摘要	本发明涉及图像传感器领域，公开了一种金属氧化物半导体图像传感器。本发明中，通过金属氧化物半导体图像传感器结构实现了双模读取的功能，可以有效地扩展图像传感器的动态范围，并且电路结构和逻辑控制都比较简单。通过相关双采样，能够有效地降低噪声，大大提高读出信号的S/N比。在环境光线比较强的情况下，使用PPS模式进行读取，不经放大将电荷直接读取出来，可以防止因光线太强而导致C-APS饱和的情形；在环境光线比较弱的情况下，使用C-APS模式进行读取，通过不同的偏置实现可变增益读取，从而大大扩展了金属氧化物半导体图像传感器的动态范围。