专利详情

专利名称	多功能图像传感器及其制作方法
申请号	CN201210046954.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102569325B	公开（授权）日	2014.07.30
申请（专利权）人	中国科学院上海高等研究院	发明（设计）人	苗田乐;陈杰;汪辉;方娜;田犁
主分类号	H01L27/146(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/146; H04N5/374
专利有效期	多功能图像传感器及其制作方法至多功能图像传感器及其制作方法	法律状态	专利权的转移
说明书摘要	本发明涉及图像传感器领域，公开了一种多功能图像传感器及其制作方法。本发明中，在传统的CMOS图像传感器的基础上，增加了新的掺杂区，与感光器件表面上的一个掺杂区形成发光二极管结构，使CMOS图像传感器同时具有感光和发光的功能。在衬底上形成转移晶体管的栅极，可以进一步地提高图像传感器的集成度。第二区域为P型半导体可以提高光敏感性，消除表面态和表面缺陷引起的暗电流，从而减小热噪声。第二区域和第一区域之间的PN结构成图像传感器的感光器件，第二区域的掺杂浓度远大于第一区域的掺杂浓度，这样可以使耗尽层更厚，使光线吸收更好。驱动频率至少为24Hz，符合人体视觉暂留的时间，可以产生无停滞感的连续图像。