专利详情

专利名称	图像传感器及其像素读出方法
申请号	CN201210168195.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102685404B	公开（授权）日	2014.12.03
申请（专利权）人	中国科学院上海高等研究院	发明（设计）人	孙涛;汪辉;田犁;方娜;陈杰;苗田乐
主分类号	H04N5/355(2011.01)I	IPC主分类号	H04N5/355; H04N5/357; H04N5/374; H01L27/146
专利有效期	图像传感器及其像素读出方法至图像传感器及其像素读出方法	法律状态	专利权的转移
说明书摘要	本发明涉及半导体技术领域，公开了一种图像传感器及其像素读出方法。本发明中，在传统CMOS图像传感器上增加了一个传输管和集成发光二极管结构，掺杂形成两个浮动扩散区，分别获取发光二极管发光和不发光阶段的图像，然后进行合成，可以同时获得图像的亮细节和暗细节，在提高图像传感器动态范围的同时减小了拖影。在发光二极管发光的情况下，信号更容易饱和，将发光二极管的发光时间设定为小于50％，或者将第一浮动扩散区的阱容量做的比第二浮动扩散区大，第一浮动扩散区不会很容易就饱和。采用相关双采样技术，可以达到消除噪声的目的。