高动态范围的图像传感器及其制造方法
- 申请号：CN201210175223.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海高等研究院
- 公开(公开)号：CN102683374B
- 公开(公开)日：2014.10.15
- 法律状态：专利权的转移
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专利详情
| 专利名称 | 高动态范围的图像传感器及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210175223.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102683374B | 公开（授权）日 | 2014.10.15 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 苗田乐;方娜;田犁;汪辉;陈杰 |
| 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146 |
| 专利有效期 | 高动态范围的图像传感器及其制造方法 至高动态范围的图像传感器及其制造方法 | 法律状态 | 专利权的转移 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种高动态范围图像传感器及其制造方法。本发明中，巧妙地利用金属布线层中空余的面积，形成MIM电容，并与浮动扩散区并联，扩大了浮动扩散区域的阱容量，提高了图像传感器光生电荷储存能力，从而提高了动态范围的上限。与此同时，由于未增加浮动扩散区域本身的面积，避免了暗电流噪声的增大。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
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过户资料
平台保障
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