专利详情

专利名称	电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件
申请号	CN201720067353.2	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN206412375U	公开（授权）日	2017.08.15
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	黄志明;周炜;姚娘娟;曲越;吴敬;高艳卿;黄敬国;张飞;尹一鸣;褚君浩
主分类号	H01L31/115(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/115(2006.01)I
专利有效期	电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件至电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件	法律状态
说明书摘要	本专利公开一种电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件，该器件由半导体衬底上依次生长半导体外延层，钝化保护层和正负电极金属层构成。该器件基于电磁诱导势阱、远禁带下室温光电导机制，选用适宜参数(载流子浓度，迁移率等)的半导体材料，通过理论分析，设计合理的器件尺寸，通过前放电路对光电信号进行放大读出，实现高速光信号到电信号转换及探测。具有可室温工作，远小于半导体禁带下产生较强光电导，灵敏度高，响应迅速，结构简单紧凑以及可大规模集成等优点。