专利详情

专利名称	一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法
申请号	CN201610838881.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106527969A	公开（授权）日	2017.03.22
申请（专利权）人	中国科学院地质与地球物理研究所	发明（设计）人	杨永友;陈文轩;底青云;张文秀;孙云涛;郑健
主分类号	G06F3/06(2006.01)I	IPC主分类号	G06F3/06(2006.01)I
专利有效期	一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法至一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法	法律状态	著录事项变更
说明书摘要	本发明涉及一种大容量存储控制技术，具体地说是涉及一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法。该方法进行读写时，可识别坏块、躲避坏块、均衡写入，保证所有的块的写入次数一致，以保证整个存储器的寿命均衡的NandFlash存储器读写。由于采用上述技术方案，本发明的方法具有计算量小、需要内存小的特点，适合适用于同一时间单一文件操作的应用场合，对系统硬件、软件需求低，能为这种低成本、低功耗的嵌入式系统的操作提供完整的文件系统方案。