专利详情

专利名称	基于InP衬底的五结太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201510312822.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106299011A	公开（授权）日	2017.01.04
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	黄勇
主分类号	H01L31/0725(2012.01)I	IPC主分类号	H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/0328(2006.01)I
专利有效期	基于InP衬底的五结太阳能电池及其制备方法至基于InP衬底的五结太阳能电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于InP衬底的五结太阳能电池，包括InP衬底，以及在所述InP衬底上依次设置的InGaAsP第一子电池、第一隧道结、InGaAsP第二子电池、第二隧道结、InGaAsP第三子电池、渐变缓冲层、第三隧道结、InGaP第四子电池、第四隧道结、InAlGaP第五子电池和InGaAs接触层。本发明还公开了如上五结太阳能电池的制备方法。本发明提供的五结太阳能电池前三结子电池与InP衬底晶格匹配，后两结In(Al)GaP子电池晶格异变，通过合理的带宽选择实现子电池间的电流匹配，从而达到较高的光电转换效率。