专利详情

专利名称	一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法
申请号	CN201610960164.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106548828A	公开（授权）日	2017.03.29
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	宋伟杰;徐峰;许炜;沈文锋
主分类号	H01B13/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01B13/00(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I
专利有效期	一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法至一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法，通过在室温和常压下，使用特定浓度的季铵盐表面活性剂溶液浸泡银纳米线透明导电膜，去除银纳米线表面包覆的聚乙烯吡咯烷酮PVP，PVP去除后，由于银纳米线的高表面能，银纳米线之间的结点将会接触、自动融合焊接，使银纳米线之间的结电阻得到显著降低，从而在提高银纳米线透明导电膜导电性的同时，提高了其透过率，避免了传统高温高压焊接对银纳米线导电网络和基底的破坏。本发明方法操作简便、成本低廉，适合于大规模工业生产。