专利详情

专利名称	平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器及其制备方法
申请号	CN201510615752.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106558633A	公开（授权）日	2017.04.05
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	黄勇;熊敏
主分类号	H01L31/105(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器及其制备方法至平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器，其包括沿设定方向依次分布的下电极、InAs/GaSb或InAs/InAsSb超晶格吸收层、InAs/GaSb超晶格或GaSb或GaAsSb接触层以及上电极，并且于所述接触层内或所述接触层与超晶格吸收层内还局部分布有p型区域。本发明还公开了一种制作所述红外探测器的方法。本发明提供的锑化物超晶格红外探测器使用了平面结构，避免了常规台面结构中由于刻蚀产生的表面漏电流，有利于降低红外探测器的暗电流和噪声，并简化了锑化物二类超晶格红外探测器的制作工艺，同时本发明因采用了特殊设计的pin型探测器的能带结构和材料组合，还使得光生载流子的收集不受势垒阻挡，有效保证和提升了红外探测器的工作性能。