专利详情

专利名称	一种双通道宽光谱探测器及其制备方法
申请号	CN201610518156.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105957918A	公开（授权）日	2016.09.21
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	韩玺;徐应强;王国伟;向伟;郝宏玥;牛智川
主分类号	H01L31/11(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/11(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种双通道宽光谱探测器及其制备方法至一种双通道宽光谱探测器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种双通道宽光谱探测器及其制备方法，该双通道宽光谱探测器包括衬底和台体结构，所述台体结构包括依次层叠于衬底上的下电极接触层、第一吸收层、中电极接触层、隔离层、第二吸收层、上电极接触层，其中，在上电极接触层顶部形成上台面，在中电极接触层形成有中台面，在下电极接触层形成有下台面，上电极、中电极和底电极，分别设置于上台面、中台面和下台面上，分别与上电极接触层、中电极接触层上电极接触层电连接，该双通道宽光谱探测器可以用于宽光谱探测。