专利详情

专利名称	一种CdTe/CIGS梯度吸收层薄膜太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201611048928.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106449810A	公开（授权）日	2017.02.22
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	屈飞;李辉;古宏伟;丁发柱;张贺
主分类号	H01L31/0296(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/065(2012.01)I;H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/0749(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种CdTe/CIGS梯度吸收层薄膜太阳能电池及其制备方法至一种CdTe/CIGS梯度吸收层薄膜太阳能电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种CdTe/CIGS梯度吸收层薄膜太阳能电池，自下而上依次包括衬底、导电层、本征氧化锌绝缘层、n型CdS缓冲层、梯度禁带宽度吸收层和上电极；所述梯度禁带宽度吸收层自下而上包括p型CdTe吸收层和p型CIGS吸收层。本发明利用CIGS吸收层和CdTe吸收层组成梯度吸收层，拓宽了吸收层的太阳光谱利用范围，进一步提高了太阳电池转换效率。