专利详情

专利名称	一种具有二维光子晶体结构的光电极及其制备方法
申请号	CN201610136615.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105702756A	公开（授权）日	2016.06.22
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	欧阳霄;马任平;张凯;宫建茹
主分类号	H01L31/0224(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种具有二维光子晶体结构的光电极及其制备方法至一种具有二维光子晶体结构的光电极及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种具有二维光子晶体结构的光电极及其制备方法，所述光电极包括导电基底、骨架层和光电转化层，光电转化层表面具有周期性水平排列的圆孔。其制备方法主要包括：在导电基底上形成单层聚苯乙烯球膜；在覆有单层聚苯乙烯球膜的导电基底上制得骨架层；在制得骨架层的导电基底上沉积Fe膜，然后在有氧氛围下进行煅烧形成光电氧化层，得到具有二维光子晶体结构的光电极。本发明通过引入二维光子晶体结构，使电极的光催化活性有了显著的提高，能够有效提高电极在不同方向光照射下的光电催化活性；同时，所述制备方法简单，成本低廉，大大降低了生产成本。