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铟锡氧化物纳米晶复合溶液、其制备方法及应用

  • 申请号:CN201410809742.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 公开(公开)号:CN105776321A
  • 公开(公开)日:2016.07.20
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 铟锡氧化物纳米晶复合溶液、其制备方法及应用
申请号 CN201410809742.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN105776321A 公开(授权)日 2016.07.20
申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明(设计)人 周腾;陈征;崔铮
主分类号 C01G19/00(2006.01)I IPC主分类号 C01G19/00(2006.01)I;C01G15/00(2006.01)I;C03C17/23(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I
专利有效期 铟锡氧化物纳米晶复合溶液、其制备方法及应用 至铟锡氧化物纳米晶复合溶液、其制备方法及应用 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种铟锡氧化物(ITO)纳米晶复合溶液、其制备方法及应用。该ITO纳米晶复合溶液的制备工艺包括:提供ITO纳米晶分散液,包括:将ITO纳米晶直接分散在极性有机溶剂中形成ITO纳米晶分散液;提供ITO前驱体液,包括:将In的前驱体液与Sn的前驱体液混合,并在室温下充分搅拌,形成ITO前驱体液;将ITO纳米晶分散液与ITO前驱体液混合均匀,剪切分散,形成所述铟锡氧化物纳米晶复合溶液。本发明通过合成ITO纳米晶分散液与ITO前驱体,并将其简单混合,得到稳定存在的ITO纳米晶复合溶液,此复合溶液通过简易的涂布成膜及退火,即可获得在低温下有高电导且大气环境下稳定性高的ITO薄膜,其不仅能满足电学性质的需求,而且制备工艺简单,易于操作。

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