专利详情

专利名称	一种硅基混合集成雪崩光电探测器
申请号	CN201610149517.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105789366A	公开（授权）日	2016.07.20
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	尹冬冬;杨晓红;韩勤;何婷婷;吕倩倩
主分类号	H01L31/107(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0232(2014.01)I
专利有效期	一种硅基混合集成雪崩光电探测器至一种硅基混合集成雪崩光电探测器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种硅基混合集成雪崩光电探测器(APD)，包括自下而上叠置的SOI(silicon?on?insulator)倒锥耦合结构、键合层、波导和光学匹配层，以及雪崩光电探测结构。波导和光学匹配层包括波导区和光学匹配区。本发明通过键合工艺构建。本发明采用倒锥模斑转换耦合结构和倏逝波光耦合方式来达到高效率耦合的目的；窄倍增层与窄吸收层使得该分离吸收电荷倍增区(SACM)APD可达到高速、低噪声光探测的目的；SOI倒锥耦合结构与雪崩光电探测结构键合的方式使得器件同时集中了二者的优点。