半导体器件
- 申请号：CN201410812116.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN105789368A
- 公开(公开)日：2016.07.20
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件 | ||
| 申请号 | CN201410812116.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN105789368A | 公开（授权）日 | 2016.07.20 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;贾云丛;袁烽;陈大鹏 |
| 主分类号 | H01L31/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/115(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件 至半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体X线探测器及其制造方法，将PIN接触层过孔之于像素单元的侧边，可以减少铟柱(包括UBM粘附层)封装工艺对PIN二极管器件电学特性的影响，避免金属钉刺现象，减少漏电流；同时，侧边接触结构可以降低PIN接触层过孔对后继的铟柱成球工艺的不利影响；另外，侧边接触减小了金属接触面积，从而降低了金属漏电。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
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05
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成功 - 06 支付尾款
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过户资料
平台保障
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