半导体器件制造方法
- 申请号：CN201510011821.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN105819395A
- 公开(公开)日：2016.08.03
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 申请号 | CN201510011821.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN105819395A | 公开（授权）日 | 2016.08.03 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘金彪;贺晓彬;丁明正;杨涛;李俊峰;王垚 |
| 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体制造方法，利用离子注入和退火工艺，在半导体晶圆的正面形成了突变结；之后，利用JPV技术，在半导体晶圆的背面定位突变结的位置，从而确定晶圆位置，定位精度控制在纳米量级，远优于现有的对准方法，实现了半导体晶圆的快速、精确定位。本发明的定位方式工艺简单，完全与现有的集成电路和MEMS工艺兼容，不会增加流程的复杂性，在精确和快速背面对准的基础上，提高了生产良率，并且降低了成本。 | ||
交易流程
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