专利详情

专利名称	一种超导二阶梯度线圈及其制造方法
申请号	CN201610203621.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105895294A	公开（授权）日	2016.08.24
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张树林;张朝祥;王永良;谢晓明
主分类号	H01F6/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01F6/06(2006.01)I;H01F41/04(2006.01)I;G01R33/022(2006.01)I
专利有效期	一种超导二阶梯度线圈及其制造方法至一种超导二阶梯度线圈及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种超导二阶梯度线圈及其制造方法，包括梯度线圈支架、接收线圈、中补偿线圈、上补偿线圈和双绞线；所述梯度线圈支架用于由下到上依次横向绕制接收线圈、中补偿线圈和上补偿线圈，以及纵向引出双绞线；接收线圈包括N匝直径为D_p的同向线圈；中补偿线圈包括单匝直径为(2N^)1/2?D_p的线圈，且中补偿线圈与接收线圈的绕制方向相反；上补偿线圈包括单匝直径为(N)^1/2?D_p的线圈，且上补偿线圈与接收线圈的绕制方向相同；双绞线用于由下至上依次纵向连接各匝接收线圈、中补偿线圈和上补偿线圈，并由上补偿线圈向上引出。本发明的超导二阶梯度线圈及其制造方法在不影响信号磁通的前提下，有效降低了线圈的总体电感，提高了信号传输效率，同时简化了绕制工艺。