专利详情

专利名称	具有叠层减反特性的晶体硅异质太阳电池及其制备方法
申请号	CN201610494414.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105895746A	公开（授权）日	2016.08.24
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	俞健;卞剑涛;张丽平;刘毓成;孟凡英;刘正新
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0747(2012.01)I
专利有效期	具有叠层减反特性的晶体硅异质太阳电池及其制备方法至具有叠层减反特性的晶体硅异质太阳电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法，所述制备方法包括：步骤1），表面具有透明导电层的硅异质结光伏结构；步骤2），于所述透明导电层表面形成金属栅线；步骤3），于所述金属栅线顶部及透明导电层表面覆盖介电减反射薄膜；步骤4），进行低温退火处理使金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。本发明的金属栅线处的结构采用透明导电层?金属栅线?介电减反射薄膜的三明治结构，并通过低温后处理，金属栅线可以与表层的介电减反射薄膜反应，从而实现导电通路。本发明具有低成本、高可靠性的优势，与现有异质结太阳电池制备工艺匹配的特点，在太阳电池制造领域具有广泛的应用前景及实用价值。