专利详情

专利名称	一种近红外探测器及其制备方法
申请号	CN201610344859.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105895728A	公开（授权）日	2016.08.24
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	张志伟;繆国庆;宋航;黎大兵;蒋红;李志明;陈一仁;孙晓娟
主分类号	H01L31/105(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种近红外探测器及其制备方法至一种近红外探测器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种近红外探测器及其制备方法，其中，所述近红外探测器包括：衬底；位于所述衬底表面的缓冲层；位于所述缓冲层背离所述衬底一侧的吸收层；位于所述吸收层背离所述缓冲层一侧的窗口层；所述窗口层为二硫化钼层。二硫化钼可表现出P型半导体的性质，且在近红外波段具有很好的透光性，使其可以作为所述近红外探测器的窗口层；更为重要的是，所述二硫化钼层在近红外波段可以产生显著的表面等离激元效应，从而增强所述近红外探测器对入射近红外光的吸收(增强光捕获作用)，进而提高所述近红外探测器的量子效率。