专利详情

专利名称	一种晶硅太阳电池贱金属正面电极及其制备方法
申请号	CN201610649477.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106098808A	公开（授权）日	2016.11.09
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	李涛;王文静
主分类号	H01L31/0224(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种晶硅太阳电池贱金属正面电极及其制备方法至一种晶硅太阳电池贱金属正面电极及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种晶硅太阳电池贱金属正面电极，该晶硅太阳电池正面电极为贱金属复合电极，底层为阻扩散层镍电极，中层为导电层铜电极，顶层为抗氧化层铝锡电极。制备晶硅太阳电池贱金属正面电极的方法采用纳米镍粉、纳米铜粉、纳米铝粉、纳米锡粉贱金属颗粒替代银粉作为导电功能相，结合玻璃粉和有机载体调控浆料粘结、触变性、流变性性能，在晶硅太阳电池正面依次预置镍浆、铜浆和铝锡浆，依次烘干后制得阻扩散层镍电极、导电层铜电极和抗氧化层铝锡电极，低温烧结后制得镍/铜/铝锡贱金属复合电极，替代贵金属银电极。