专利详情

专利名称	一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器
申请号	CN201610847176.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106299015A	公开（授权）日	2017.01.04
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	马英杰;张永刚;顾溢;陈星佑
主分类号	H01L31/107(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I
专利有效期	一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器至一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器，在半导体雪崩光电探测器的倍增层中包含有若干层量子点层，所述量子点层具有比倍增层更窄的禁带宽度，且与倍增层材料形成I型能带结构。本发明增益系数显著提升、过剩噪声得到抑制，可广泛应用于增强Si?Ge、GaAs?InAs、InP?InGaAs、InAlAs?InGaAs、GaAs?AlSb等不同波段的雪崩探测器性能，提升高速光通讯、单光子计数、激光雷达、量子信息等雪崩探测器系统的应用水平。