专利详情

专利名称	一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法
申请号	CN201610065672.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105712704A	公开（授权）日	2016.06.29
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	马名生;刘志甫;李永祥
主分类号	C04B35/01(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/01(2006.01)I;C04B35/45(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法至一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法，所述的低温共烧陶瓷由CuO?B₂O₃二元氧化物烧结而成，其中CuO的含量为5wt%～95wt%。与现有的低温共烧陶瓷基板材料相比，本发明所采用的原料仅有两种CuO和B₂O₃，且制备工艺简单，成本低，具有较高的实用性。本发明所制备的低介电常数低温共烧陶瓷材料具有低介电常数和低损耗（0.002～0.005，1MHz），同时可与银电极实现匹配共烧，可满足低温共烧陶瓷封装基板材料的应用要求。采用本发明方案所制备的低介电常数低温共烧材料可作为电子封装基板材料使用，并适合规模生产。