专利详情

专利名称	一种金属掺杂的中空介孔氧化硅纳米球及其制备方法
申请号	CN201410789134.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105776225A	公开（授权）日	2016.07.20
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所	发明（设计）人	徐杰;陈佳志;路芳;张俊杰;于维强;高进;苗虹
主分类号	C01B33/12(2006.01)I	IPC主分类号	C01B33/12(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种金属掺杂的中空介孔氧化硅纳米球及其制备方法至一种金属掺杂的中空介孔氧化硅纳米球及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种金属掺杂的中空介孔氧化硅纳米球及其制备方法，其特征在于掺杂金属元素为周期表中IIIA、IVA、VA、过度金属及稀土金属的元素中的一种或二种以上，其与硅原子的摩尔数之比为0.01-0.2；该纳米球具有均一的二维六方孔道结构，粒径60-200nm，空腔直径大小为40-180nm，球壁厚为10-30nm，介孔孔径2.0-4.0nm，比表面积为600-1600m²·g^-1，孔容为2.0-4.0cm³·g^-1。本发明采用溶胶凝胶法直接合成金属掺杂的中空介孔硅纳米球材料，不需要采用硬质模版，避免刻蚀等后处理步骤，具有工艺简单、条件温和、原料低廉、反应效率高、可操作性强、易于工业生产等优点。制备的中空介孔纳米球介孔结构高度有序、孔容大，有利于客体分子的内外传输及储存，可用于催化、吸附、分离、药物控制释放等过程。