专利详情

专利名称	悬浮金属纳米间隙对结构的制备方法
申请号	CN201610191808.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105858597A	公开（授权）日	2016.08.17
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	顾长志;王玉瑾;李俊杰;全保刚
主分类号	B82B3/00(2006.01)I	IPC主分类号	B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	悬浮金属纳米间隙对结构的制备方法至悬浮金属纳米间隙对结构的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种悬浮金属纳米间隙对结构的制备方法，属于纳米间隙领域，其步骤包括：在清洗好的硅衬底基片上，沉积预定厚度的氮化硅薄膜；旋涂光刻胶，采用电子束曝光方法在所述光刻胶上制备具有预定图形的纳米桥结构；采用反应离子刻蚀方法将所述图形转移至所述氮化硅薄膜上，得到纳米间隙对结构；采用湿法腐蚀方法部分去除所述纳米间隙对结构下的硅，得到悬浮的纳米间隙对结构；采用镀膜方法在所述悬浮的纳米间隙对结构上沉积一层金属薄膜，从而获得悬浮金属纳米间隙对结构。本发明提供的一种新的悬浮金属纳米间隙对结构的制备方法，可以获得可重复性好、稳定性好的悬浮金属纳米间隙对结构。