
直接引入与原位生成TiC颗粒共同增强镍基复合材料及其制备方法和应用
- 申请号:CN201510390397.4
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN106319288A
- 公开(公开)日:2017.01.11
- 法律状态:授权
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专利详情
专利名称 | 直接引入与原位生成TiC颗粒共同增强镍基复合材料及其制备方法和应用 | ||
申请号 | CN201510390397.4 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106319288A | 公开(授权)日 | 2017.01.11 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 黄政仁;齐倩;刘岩;张辉;杨勇;刘学建 |
主分类号 | C22C19/03(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C19/03(2006.01)I;C22C32/00(2006.01)I;C22C1/10(2006.01)I;B22D23/04(2006.01)I;H01M8/02(2006.01)I |
专利有效期 | 直接引入与原位生成TiC颗粒共同增强镍基复合材料及其制备方法和应用 至直接引入与原位生成TiC颗粒共同增强镍基复合材料及其制备方法和应用 | 法律状态 | 授权 |
说明书摘要 | 本发明涉及直接引入与原位生成TiC颗粒共同增强镍基复合材料及其制备方法和应用,所述复合材料包括镍基合金基体、以及均匀分布在所述镍基合金基体内的直接引入的TiC颗粒和原位生成的TiC颗粒,其中,原位生成的TiC颗粒占总TiC的质量分数为10~40wt.%。本发明的直接引入与原位生成TiC颗粒共同增强镍基复合材料有效地降低了镍基合金的热膨胀系数,同时保持良好的线性膨胀行为与较高导电率。 |
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