专利详情

专利名称	一种低成本生长大面积石墨烯的CVD方法
申请号	CN201510039341.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105887041A	公开（授权）日	2016.08.24
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	任文才;马来鹏;成会明
主分类号	C23C16/26(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/26(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I
专利有效期	一种低成本生长大面积石墨烯的CVD方法至一种低成本生长大面积石墨烯的CVD方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及石墨烯的制备技术，具体为一种采用未清洗的压延金属作为基体材料低成本生长大面积石墨烯的CVD方法。该方法采用未清洗的压延金属作为CVD生长石墨烯的基体材料，利用压延加工后残留在金属表面的油脂作为生长石墨烯的碳源，具体步骤为：(1)采用未清洗的压延金属作为CVD生长石墨烯的基体，其表面残留的油脂作为生长石墨烯的碳源；(2)将上述材料直接放入CVD系统进行生长，在其表面形成大面积石墨烯。采用本发明无需使用外加碳源，降低制备成本，可作为一种低成本生产大面积石墨烯的方法。