专利详情

专利名称	一种原花青素B2印迹整体柱的制备方法
申请号	CN201610891099.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106345436A	公开（授权）日	2017.01.25
申请（专利权）人	中国科学院新疆理化技术研究所	发明（设计）人	刘照胜;贾曼;阿吉艾克拜尔·艾萨
主分类号	B01J20/26(2006.01)I	IPC主分类号	B01J20/26(2006.01)I;B01J20/28(2006.01)I;B01J20/30(2006.01)I;B01D15/22(2006.01)I
专利有效期	一种原花青素B2印迹整体柱的制备方法至一种原花青素B2印迹整体柱的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种原花青素B2印迹整体柱的制备方法，该方法以少量的原花青素B2为模板分子，同时加入聚苯乙烯、聚乙二醇这两种拥挤试剂，以四氢呋喃溶液做溶剂，以甲苯做致孔剂，再加入功能单体、交联剂或引发剂，然后超声溶解除去溶解氧并引发反应，最后得到具有选择性的原花青素B2分子印迹整体柱。本发明所述方法模板消耗量少，大大地降低了原花青素B2的印迹成本。在不锈钢柱管中成功合成了原花青素B2印迹整体柱，以及空白对照柱并进行色谱性能优化。实验结果表明，印迹因子最高可达5.13。该方法制备简单，且高分子聚合物耐用性好，为原花青素B2的分离纯化提供了一种节约成本的方法。