专利详情

专利名称	一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法
申请号	CN201610450846.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105926034A	公开（授权）日	2016.09.07
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	孟祥敏;黄兴
主分类号	C30B23/00(2006.01)I	IPC主分类号	C30B23/00(2006.01)I;C30B29/50(2006.01)I;C30B29/48(2006.01)I
专利有效期	一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法至一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法，包括如下步骤：将CdS或CdSe固体放入衬底上，然后将所述衬底置于管式炉的高温加热区；对放入衬底的管式炉抽真空并通入保护气体，然后将所述管式炉升温，并将所述管式炉内压强保持在10?2000Pa，进行反应0.1?2h，反应结束后使所述管式炉自然降温至室温。该制备方法造价低廉、可控性强、步骤简单；本发明制备的CdS单晶纳米线阵列和CdSe单晶纳米线阵列排列整齐、晶体取向一致、结晶度高、缺陷低，表现出优异的光电性质。在纳米光电子器件、太阳能电池、光催化和生物传感等方面具有非常重要的研究价值和应用前景。